STMicroelectronics - STB34N65M5

KEY Part #: K6396897

STB34N65M5 Priser (USD) [34406stk Lager]

  • 1 pcs$1.20386
  • 1,000 pcs$1.19787

Delnummer:
STB34N65M5
Produsent:
STMicroelectronics
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - likerettere - singel and Dioder - Zener - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in STMicroelectronics STB34N65M5 electronic components. STB34N65M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB34N65M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB34N65M5 Produktegenskaper

Delnummer : STB34N65M5
Produsent : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Serie : MDmesh™ V
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 650V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 62.5nC @ 10V
Vgs (maks) : ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 190W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D2PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB