Infineon Technologies - IPP80N04S4L04AKSA1

KEY Part #: K6419070

IPP80N04S4L04AKSA1 Priser (USD) [89942stk Lager]

  • 1 pcs$0.43473
  • 500 pcs$0.25740

Delnummer:
IPP80N04S4L04AKSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - IGBT-er - singel, Tyristorer - TRIAC, Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Transistorer - FET, MOSFET - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPP80N04S4L04AKSA1 electronic components. IPP80N04S4L04AKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP80N04S4L04AKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80N04S4L04AKSA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPP80N04S4L04AKSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 4.3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 35µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (maks) : +20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4690pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 71W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : PG-TO220-3-1
Pakke / sak : TO-220-3