Infineon Technologies - FD-DF80R12W1H3_B52

KEY Part #: K6532730

FD-DF80R12W1H3_B52 Priser (USD) [2473stk Lager]

  • 1 pcs$17.50946

Delnummer:
FD-DF80R12W1H3_B52
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
IGBT MODULE VCES 1200V 40A.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - spesialformål, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Zener - Singel and Dioder - likerettere - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies FD-DF80R12W1H3_B52 electronic components. FD-DF80R12W1H3_B52 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD-DF80R12W1H3_B52, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD-DF80R12W1H3_B52 Produktegenskaper

Delnummer : FD-DF80R12W1H3_B52
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Serie : -
Delstatus : Active
IGBT-type : Trench Field Stop
konfigurasjon : Single
Spenning - Samlebrenningens nedbrytning (maks) : 1200V
Nåværende - Samler (Ic) (Maks) : 40A
Kraft - Maks : 215W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 40A
Nåværende - Collector Cutoff (Max) : 1mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 235nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : Yes
Driftstemperatur : -40°C ~ 125°C
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : Module
Leverandørenhetspakke : Module

Du kan også være interessert i
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT