IXYS - IXFN24N100

KEY Part #: K6398242

IXFN24N100 Priser (USD) [2761stk Lager]

  • 1 pcs$16.47031
  • 10 pcs$15.23655
  • 25 pcs$14.00093
  • 100 pcs$13.01266
  • 250 pcs$11.94198

Delnummer:
IXFN24N100
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - JFET-er, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - RF, Dioder - Bridge likerettere and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFN24N100 electronic components. IXFN24N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN24N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN24N100 Produktegenskaper

Delnummer : IXFN24N100
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Serie : HiPerFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 267nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 8700pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 568W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-227B
Pakke / sak : SOT-227-4, miniBLOC