Taiwan Semiconductor Corporation - TSM048NB06LCR RLG

KEY Part #: K6403250

TSM048NB06LCR RLG Priser (USD) [142736stk Lager]

  • 1 pcs$0.25913

Delnummer:
TSM048NB06LCR RLG
Produsent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - spesialformål, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Tyristorer - DIAC, SIDAC and Dioder - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM048NB06LCR RLG electronic components. TSM048NB06LCR RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM048NB06LCR RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM048NB06LCR RLG Produktegenskaper

Delnummer : TSM048NB06LCR RLG
Produsent : Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse : MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta), 107A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 4.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 6253pF @ 30V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 8-PDFN (5x6)
Pakke / sak : 8-PowerTDFN