Infineon Technologies - IPD80R2K8CEATMA1

KEY Part #: K6415753

IPD80R2K8CEATMA1 Priser (USD) [198305stk Lager]

  • 1 pcs$0.18652
  • 2,500 pcs$0.15227

Delnummer:
IPD80R2K8CEATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - programmerbar enhet, Power Driver-moduler, Transistorer - spesialformål, Transistorer - IGBT-er - singel and Transistorer - FET, MOSFET - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPD80R2K8CEATMA1 electronic components. IPD80R2K8CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80R2K8CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD80R2K8CEATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPD80R2K8CEATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Serie : CoolMOS™ CE
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 120µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 42W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO252-3
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63