ON Semiconductor - FQD5N20LTM

KEY Part #: K6392647

FQD5N20LTM Priser (USD) [240661stk Lager]

  • 1 pcs$0.15369
  • 2,500 pcs$0.14635

Delnummer:
FQD5N20LTM
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Zener - Arrays, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Tyristorer - SCR, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - spesialformål and Transistorer - FET, MOSFET - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FQD5N20LTM electronic components. FQD5N20LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD5N20LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD5N20LTM Produktegenskaper

Delnummer : FQD5N20LTM
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Serie : QFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 5V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D-Pak
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63