Taiwan Semiconductor Corporation - TSM080N03EPQ56 RLG

KEY Part #: K6403327

TSM080N03EPQ56 RLG Priser (USD) [457451stk Lager]

  • 1 pcs$0.08086

Delnummer:
TSM080N03EPQ56 RLG
Produsent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Zener - Arrays, Power Driver-moduler, Tyristorer - TRIAC and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM080N03EPQ56 RLG electronic components. TSM080N03EPQ56 RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM080N03EPQ56 RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM080N03EPQ56 RLG Produktegenskaper

Delnummer : TSM080N03EPQ56 RLG
Produsent : Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 54W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 8-PDFN (5x6)
Pakke / sak : 8-PowerTDFN