Vishay Siliconix - SI7322ADN-T1-GE3

KEY Part #: K6421004

SI7322ADN-T1-GE3 Priser (USD) [321720stk Lager]

  • 1 pcs$0.11497

Delnummer:
SI7322ADN-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Tyristorer - SCR-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI7322ADN-T1-GE3 electronic components. SI7322ADN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7322ADN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7322ADN-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI7322ADN-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8
Serie : ThunderFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 15.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 57 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 26W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® 1212-8
Pakke / sak : PowerPAK® 1212-8