Toshiba Semiconductor and Storage - TPH2900ENH,L1Q

KEY Part #: K6419029

TPH2900ENH,L1Q Priser (USD) [88126stk Lager]

  • 1 pcs$0.45546
  • 5,000 pcs$0.45320

Delnummer:
TPH2900ENH,L1Q
Produsent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - spesialformål, Dioder - Zener - Singel, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - RF, Tyristorer - SCR-er - moduler and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH2900ENH,L1Q electronic components. TPH2900ENH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH2900ENH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH2900ENH,L1Q Produktegenskaper

Delnummer : TPH2900ENH,L1Q
Produsent : Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Serie : U-MOSVIII-H
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 200V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 33A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 29 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 78W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 8-SOP Advance (5x5)
Pakke / sak : 8-PowerVDFN