STMicroelectronics - STU10NM60N

KEY Part #: K6418602

STU10NM60N Priser (USD) [69741stk Lager]

  • 1 pcs$1.35736
  • 10 pcs$1.22559
  • 100 pcs$0.93441
  • 500 pcs$0.72677
  • 1,000 pcs$0.60219

Delnummer:
STU10NM60N
Produsent:
STMicroelectronics
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - JFET-er, Power Driver-moduler and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in STMicroelectronics STU10NM60N electronic components. STU10NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STU10NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STU10NM60N Produktegenskaper

Delnummer : STU10NM60N
Produsent : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Serie : MDmesh™ II
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (maks) : ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 70W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : I-PAK
Pakke / sak : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA