Vishay Siliconix - SI4497DY-T1-GE3

KEY Part #: K6396114

SI4497DY-T1-GE3 Priser (USD) [97045stk Lager]

  • 1 pcs$0.40291
  • 2,500 pcs$0.37749

Delnummer:
SI4497DY-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - RF, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor and Transistorer - IGBT-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI4497DY-T1-GE3 electronic components. SI4497DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4497DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4497DY-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI4497DY-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 285nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 9685pF @ 15V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 8-SO
Pakke / sak : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)