Diodes Incorporated - DMG3414UQ-13

KEY Part #: K6396298

DMG3414UQ-13 Priser (USD) [744300stk Lager]

  • 1 pcs$0.04969
  • 10,000 pcs$0.04416

Delnummer:
DMG3414UQ-13
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - JFET-er, Dioder - likerettere - singel, Power Driver-moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - RF and Dioder - Zener - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMG3414UQ-13 electronic components. DMG3414UQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG3414UQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG3414UQ-13 Produktegenskaper

Delnummer : DMG3414UQ-13
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Serie : Automotive, AEC-Q101
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 20V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 4.5V
Vgs (maks) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 829.9pF @ 10V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 780mW
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SOT-23-3
Pakke / sak : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3