Infineon Technologies - IPP030N10N3GXKSA1

KEY Part #: K6416352

IPP030N10N3GXKSA1 Priser (USD) [14062stk Lager]

  • 1 pcs$2.53402
  • 10 pcs$2.26123
  • 100 pcs$1.85411
  • 500 pcs$1.50136
  • 1,000 pcs$1.26621

Delnummer:
IPP030N10N3GXKSA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Tyristorer - SCR-er - moduler, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - likerettere - matriser, Power Driver-moduler, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPP030N10N3GXKSA1 electronic components. IPP030N10N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP030N10N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP030N10N3GXKSA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPP030N10N3GXKSA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 275µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 14800pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 300W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : PG-TO220-3
Pakke / sak : TO-220-3