NXP USA Inc. - PSMN009-100W,127

KEY Part #: K6400190

[3483stk Lager]


    Delnummer:
    PSMN009-100W,127
    Produsent:
    NXP USA Inc.
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 100V 100A SOT429.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - programmerbar enhet, Dioder - Zener - Singel, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - spesialformål and Dioder - Bridge likerettere ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in NXP USA Inc. PSMN009-100W,127 electronic components. PSMN009-100W,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN009-100W,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN009-100W,127 Produktegenskaper

    Delnummer : PSMN009-100W,127
    Produsent : NXP USA Inc.
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 100A SOT429
    Serie : TrenchMOS™
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 9 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 214nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 9000pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 300W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandørenhetspakke : TO-247-3
    Pakke / sak : TO-247-3