Vishay Siliconix - SIR438DP-T1-GE3

KEY Part #: K6393432

SIR438DP-T1-GE3 Priser (USD) [93656stk Lager]

  • 1 pcs$0.41749
  • 3,000 pcs$0.39115

Delnummer:
SIR438DP-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Power Driver-moduler, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIR438DP-T1-GE3 electronic components. SIR438DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR438DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR438DP-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIR438DP-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 25V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4560pF @ 10V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8