IXYS - IXTX6N200P3HV

KEY Part #: K6393731

IXTX6N200P3HV Priser (USD) [1824stk Lager]

  • 1 pcs$27.05672
  • 10 pcs$25.30359
  • 100 pcs$21.93957

Delnummer:
IXTX6N200P3HV
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - TRIAC, Tyristorer - SCR, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Tyristorer - DIAC, SIDAC and Transistorer - FET, MOSFET - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXTX6N200P3HV electronic components. IXTX6N200P3HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTX6N200P3HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTX6N200P3HV Produktegenskaper

Delnummer : IXTX6N200P3HV
Produsent : IXYS
Beskrivelse : 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 2000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 4 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 143nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3700pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 960W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247PLUS-HV
Pakke / sak : TO-247-3 Variant