Infineon Technologies - IPD50N06S214ATMA2

KEY Part #: K6420084

IPD50N06S214ATMA2 Priser (USD) [158392stk Lager]

  • 1 pcs$0.23352
  • 2,500 pcs$0.22237

Delnummer:
IPD50N06S214ATMA2
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - JFET-er, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPD50N06S214ATMA2 electronic components. IPD50N06S214ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50N06S214ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50N06S214ATMA2 Produktegenskaper

Delnummer : IPD50N06S214ATMA2
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 55V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 14.4 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 80µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1485pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 136W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO252-3-11
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Du kan også være interessert i