Infineon Technologies - IRF3710LPBF

KEY Part #: K6418922

IRF3710LPBF Priser (USD) [83162stk Lager]

  • 1 pcs$0.86129
  • 10 pcs$0.77892
  • 100 pcs$0.62585
  • 500 pcs$0.48677
  • 1,000 pcs$0.40332

Delnummer:
IRF3710LPBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR, Tyristorer - TRIAC, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - Bridge likerettere and Tyristorer - DIAC, SIDAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRF3710LPBF electronic components. IRF3710LPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3710LPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3710LPBF Produktegenskaper

Delnummer : IRF3710LPBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
Serie : HEXFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 57A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 23 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3130pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 200W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-262
Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Du kan også være interessert i