Infineon Technologies - IRF7478PBF

KEY Part #: K6411515

IRF7478PBF Priser (USD) [13764stk Lager]

  • 1 pcs$0.44737
  • 10 pcs$0.39552
  • 100 pcs$0.29556
  • 500 pcs$0.22922
  • 1,000 pcs$0.18096

Delnummer:
IRF7478PBF
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - TRIAC, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) and Dioder - Zener - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IRF7478PBF electronic components. IRF7478PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7478PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7478PBF Produktegenskaper

Delnummer : IRF7478PBF
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Delstatus : Discontinued at Digi-Key
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 26 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 4.5V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1740pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.5W (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 8-SO
Pakke / sak : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Du kan også være interessert i