Microsemi Corporation - APT18M80B

KEY Part #: K6395050

APT18M80B Priser (USD) [10686stk Lager]

  • 1 pcs$4.23953
  • 10 pcs$3.81602
  • 100 pcs$3.13765
  • 500 pcs$2.62883

Delnummer:
APT18M80B
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Power Driver-moduler, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation APT18M80B electronic components. APT18M80B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18M80B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT18M80B Produktegenskaper

Delnummer : APT18M80B
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
Serie : POWER MOS 8™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 530 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3760pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 500W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247 [B]
Pakke / sak : TO-247-3