Vishay Siliconix - SIA425EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6416310

SIA425EDJ-T1-GE3 Priser (USD) [12109stk Lager]

  • 3,000 pcs$0.07418

Delnummer:
SIA425EDJ-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR-er - moduler, Tyristorer - TRIAC, Power Driver-moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - Bridge likerettere and Dioder - likerettere - matriser ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIA425EDJ-T1-GE3 electronic components. SIA425EDJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA425EDJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA425EDJ-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIA425EDJ-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Obsolete
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 20V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (maks) : ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakke / sak : PowerPAK® SC-70-6