Delnummer :
SIHB12N60ET5-GE3
Produsent :
Vishay Siliconix
Beskrivelse :
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
937pF @ 100V
Effektdissipasjon (maks) :
147W (Tc)
Driftstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
TO-263 (D²Pak)
Pakke / sak :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB