Vishay Siliconix - SIHF7N60E-GE3

KEY Part #: K6418843

SIHF7N60E-GE3 Priser (USD) [79963stk Lager]

  • 1 pcs$0.48899

Delnummer:
SIHF7N60E-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - programmerbar enhet, Tyristorer - SCR, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Dioder - Bridge likerettere and Transistorer - IGBT-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIHF7N60E-GE3 electronic components. SIHF7N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHF7N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHF7N60E-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIHF7N60E-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Serie : E
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 31W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220 Full Pack
Pakke / sak : TO-220-3 Full Pack