IXYS - IXTA1R6N100D2HV

KEY Part #: K6394711

IXTA1R6N100D2HV Priser (USD) [36141stk Lager]

  • 1 pcs$1.08188

Delnummer:
IXTA1R6N100D2HV
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - spesialformål and Transistorer - FET, MOSFET - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXTA1R6N100D2HV electronic components. IXTA1R6N100D2HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA1R6N100D2HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA1R6N100D2HV Produktegenskaper

Delnummer : IXTA1R6N100D2HV
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1000V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 5V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 645pF @ 10V
FET-funksjon : Depletion Mode
Effektdissipasjon (maks) : 100W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-263HV
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB