Vishay Siliconix - SIA446DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6421057

SIA446DJ-T1-GE3 Priser (USD) [340585stk Lager]

  • 1 pcs$0.10860
  • 3,000 pcs$0.10219

Delnummer:
SIA446DJ-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - programmerbar enhet and Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors) ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIA446DJ-T1-GE3 electronic components. SIA446DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA446DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA446DJ-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIA446DJ-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L
Serie : ThunderFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 150V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 7.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 177 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 75V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakke / sak : PowerPAK® SC-70-6