Vishay Siliconix - SI1302DL-T1-E3

KEY Part #: K6419222

SI1302DL-T1-E3 Priser (USD) [561959stk Lager]

  • 1 pcs$0.06582
  • 3,000 pcs$0.05958

Delnummer:
SI1302DL-T1-E3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - JFET-er, Tyristorer - SCR, Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - DIAC, SIDAC and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI1302DL-T1-E3 electronic components. SI1302DL-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1302DL-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1302DL-T1-E3 Produktegenskaper

Delnummer : SI1302DL-T1-E3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 600mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 480 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 280mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : SC-70-3
Pakke / sak : SC-70, SOT-323