Diodes Incorporated - DMT6009LCT

KEY Part #: K6398241

DMT6009LCT Priser (USD) [92595stk Lager]

  • 1 pcs$0.40138
  • 50 pcs$0.30454
  • 100 pcs$0.26649
  • 500 pcs$0.20665
  • 1,000 pcs$0.16314

Delnummer:
DMT6009LCT
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - RF, Dioder - likerettere - matriser, Tyristorer - SCR-er - moduler and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6009LCT electronic components. DMT6009LCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6009LCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6009LCT Produktegenskaper

Delnummer : DMT6009LCT
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 37.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 12 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (maks) : ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1925pF @ 30V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.2W (Ta), 25W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-220AB
Pakke / sak : TO-220-3