ON Semiconductor - FCD3400N80Z

KEY Part #: K6397448

FCD3400N80Z Priser (USD) [183026stk Lager]

  • 1 pcs$0.20209
  • 2,500 pcs$0.18089

Delnummer:
FCD3400N80Z
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Zener - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - IGBT-er - moduler and Tyristorer - DIAC, SIDAC ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FCD3400N80Z electronic components. FCD3400N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD3400N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCD3400N80Z Produktegenskaper

Delnummer : FCD3400N80Z
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Serie : SuperFET® II
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 3.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 200µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 9.6nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 32W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : DPAK
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63