ON Semiconductor - FCD1300N80Z

KEY Part #: K6397436

FCD1300N80Z Priser (USD) [121505stk Lager]

  • 1 pcs$0.30441
  • 5,000 pcs$0.30439

Delnummer:
FCD1300N80Z
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 4A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - spesialformål, Dioder - Zener - Singel, Tyristorer - SCR, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor and Transistorer - IGBT-er - singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FCD1300N80Z electronic components. FCD1300N80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD1300N80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCD1300N80Z Produktegenskaper

Delnummer : FCD1300N80Z
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Serie : SuperFET® II
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 400µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 880pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 52W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : DPAK
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63