Delnummer :
IPB031NE7N3GATMA1
Produsent :
Infineon Technologies
Beskrivelse :
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) :
75V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, vgs :
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 155µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs :
117nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
8130pF @ 37.5V
Effektdissipasjon (maks) :
214W (Tc)
Driftstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandørenhetspakke :
PG-TO263-3-2
Pakke / sak :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB