Diodes Incorporated - DMN65D8LDW-7

KEY Part #: K6525412

DMN65D8LDW-7 Priser (USD) [1244959stk Lager]

  • 1 pcs$0.02971
  • 3,000 pcs$0.02723

Delnummer:
DMN65D8LDW-7
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk and Dioder - likerettere - matriser ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMN65D8LDW-7 electronic components. DMN65D8LDW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN65D8LDW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN65D8LDW-7 Produktegenskaper

Delnummer : DMN65D8LDW-7
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon : Logic Level Gate
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 180mA
Rds On (Max) @ Id, vgs : 6 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 0.87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Kraft - Maks : 300mW
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverandørenhetspakke : SOT-363