Infineon Technologies - IPD85P04P407ATMA1

KEY Part #: K6420110

IPD85P04P407ATMA1 Priser (USD) [161597stk Lager]

  • 1 pcs$0.22889
  • 2,500 pcs$0.20995

Delnummer:
IPD85P04P407ATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - IGBT-er - singel, Tyristorer - SCR and Transistorer - IGBT-er - moduler ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies IPD85P04P407ATMA1 electronic components. IPD85P04P407ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD85P04P407ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD85P04P407ATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : IPD85P04P407ATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH TO252-3
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 7.3 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 89nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 6085pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 88W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TO252-3-313
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Du kan også være interessert i