Infineon Technologies - IPS09N03LA G

KEY Part #: K6409784

[161stk Lager]


    Delnummer:
    IPS09N03LA G
    Produsent:
    Infineon Technologies
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 25V 50A IPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Transistorer - JFET-er, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Tyristorer - DIAC, SIDAC and Dioder - likerettere - singel ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in Infineon Technologies IPS09N03LA G electronic components. IPS09N03LA G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPS09N03LA G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPS09N03LA G Produktegenskaper

    Delnummer : IPS09N03LA G
    Produsent : Infineon Technologies
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
    Serie : OptiMOS™
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 25V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 8.8 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 5V
    Vgs (maks) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1642pF @ 15V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 63W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandørenhetspakke : PG-TO251-3
    Pakke / sak : TO-251-3 Stub Leads, IPak