Microsemi Corporation - APTM10HM09FT3G

KEY Part #: K6522650

APTM10HM09FT3G Priser (USD) [1144stk Lager]

  • 1 pcs$38.01400
  • 100 pcs$37.82488

Delnummer:
APTM10HM09FT3G
Produsent:
Microsemi Corporation
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Power Driver-moduler, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - IGBT-er - moduler and Dioder - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Microsemi Corporation APTM10HM09FT3G electronic components. APTM10HM09FT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM10HM09FT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10HM09FT3G Produktegenskaper

Delnummer : APTM10HM09FT3G
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-funksjon : Standard
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 139A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 9875pF @ 25V
Kraft - Maks : 390W
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / sak : SP3
Leverandørenhetspakke : SP3