GeneSiC Semiconductor - GA04JT17-247

KEY Part #: K6397545

GA04JT17-247 Priser (USD) [2763stk Lager]

  • 1 pcs$14.78854
  • 10 pcs$13.67754
  • 25 pcs$12.56877
  • 100 pcs$11.68146
  • 250 pcs$10.72035

Delnummer:
GA04JT17-247
Produsent:
GeneSiC Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - spesialformål, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Dioder - likerettere - matriser, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Tyristorer - TRIAC and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247 electronic components. GA04JT17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA04JT17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA04JT17-247 Produktegenskaper

Delnummer : GA04JT17-247
Produsent : GeneSiC Semiconductor
Beskrivelse : TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : -
Teknologi : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 1700V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc) (95°C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, vgs : 480 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (maks) : -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 106W (Tc)
Driftstemperatur : 175°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247AB
Pakke / sak : TO-247-3