Toshiba Semiconductor and Storage - TK6P65W,RQ

KEY Part #: K6420320

TK6P65W,RQ Priser (USD) [182018stk Lager]

  • 1 pcs$0.22465
  • 2,000 pcs$0.22353

Delnummer:
TK6P65W,RQ
Produsent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Power Driver-moduler, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - likerettere - singel and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurransefordel:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ electronic components. TK6P65W,RQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK6P65W,RQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK6P65W,RQ Produktegenskaper

Delnummer : TK6P65W,RQ
Produsent : Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Serie : DTMOSIV
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 650V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 5.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 180µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 390pF @ 300V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 60W (Tc)
Driftstemperatur : 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : DPAK
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Du kan også være interessert i