STMicroelectronics - STD15N60M2-EP

KEY Part #: K6418683

STD15N60M2-EP Priser (USD) [73080stk Lager]

  • 1 pcs$0.53504
  • 2,500 pcs$0.47435

Delnummer:
STD15N60M2-EP
Produsent:
STMicroelectronics
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - RF, Transistorer - IGBT-er - moduler, Power Driver-moduler, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Dioder - likerettere - singel, Tyristorer - SCR and Transistorer - spesialformål ...
Konkurransefordel:
We specialize in STMicroelectronics STD15N60M2-EP electronic components. STD15N60M2-EP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD15N60M2-EP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD15N60M2-EP Produktegenskaper

Delnummer : STD15N60M2-EP
Produsent : STMicroelectronics
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK
Serie : MDmesh™ M2-EP
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 378 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (maks) : ±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 100V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 110W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : DPAK
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63