ON Semiconductor - FDD10AN06A0

KEY Part #: K6409567

FDD10AN06A0 Priser (USD) [114687stk Lager]

  • 1 pcs$0.32251
  • 2,500 pcs$0.30799

Delnummer:
FDD10AN06A0
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - FET, MOSFET - En, Transistorer - spesialformål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Tyristorer - TRIAC, Power Driver-moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FDD10AN06A0 electronic components. FDD10AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD10AN06A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD10AN06A0 Produktegenskaper

Delnummer : FDD10AN06A0
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Serie : PowerTrench®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 10.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1840pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 135W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-252AA
Pakke / sak : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63