ON Semiconductor - FQI2N80TU

KEY Part #: K6410599

[14080stk Lager]


    Delnummer:
    FQI2N80TU
    Produsent:
    ON Semiconductor
    Detaljert beskrivelse:
    MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    På lager
    Holdbarhet:
    Ett år
    Brikke fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåte:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - SCR-er - moduler, Dioder - likerettere - singel, Transistorer - JFET-er, Transistorer - IGBT-er - singel, Dioder - RF, Transistorer - programmerbar enhet, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF and Dioder - likerettere - matriser ...
    Konkurransefordel:
    We specialize in ON Semiconductor FQI2N80TU electronic components. FQI2N80TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI2N80TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQI2N80TU Produktegenskaper

    Delnummer : FQI2N80TU
    Produsent : ON Semiconductor
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
    Serie : QFET®
    Delstatus : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenering til kildespenning (Vdss) : 800V
    Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 2.4A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, vgs : 6.3 Ohm @ 900mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Vgs (maks) : ±30V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V
    FET-funksjon : -
    Effektdissipasjon (maks) : 3.13W (Ta), 85W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandørenhetspakke : I2PAK
    Pakke / sak : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA