IXYS - IXFT18N90P

KEY Part #: K6395147

IXFT18N90P Priser (USD) [10912stk Lager]

  • 1 pcs$3.77636
  • 210 pcs$3.74872

Delnummer:
IXFT18N90P
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 900V 18A TO268.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Tyristorer - SCR, Transistorer - FET, MOSFET - En, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk and Dioder - Bridge likerettere ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXFT18N90P electronic components. IXFT18N90P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT18N90P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT18N90P Produktegenskaper

Delnummer : IXFT18N90P
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 900V 18A TO268
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 900V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 97nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5230pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 540W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : TO-268
Pakke / sak : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA