Vishay Siliconix - SQJ958EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525327

SQJ958EP-T1_GE3 Priser (USD) [194426stk Lager]

  • 1 pcs$0.19024

Delnummer:
SQJ958EP-T1_GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - JFET-er, Tyristorer - TRIAC, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Tyristorer - SCR-er - moduler and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ958EP-T1_GE3 electronic components. SQJ958EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ958EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ958EP-T1_GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SQJ958EP-T1_GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon : Standard
Drenering til kildespenning (Vdss) : 60V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, vgs : 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1075pF @ 30V
Kraft - Maks : 35W
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8 Dual
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8 Dual