Texas Instruments - CSD19536KTT

KEY Part #: K6400638

CSD19536KTT Priser (USD) [32303stk Lager]

  • 1 pcs$1.40074
  • 500 pcs$1.39378
  • 1,000 pcs$1.17547

Delnummer:
CSD19536KTT
Produsent:
Texas Instruments
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - spesialformål, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - programmerbar enhet, Tyristorer - TRIAC, Dioder - likerettere - singel and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Texas Instruments CSD19536KTT electronic components. CSD19536KTT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD19536KTT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19536KTT Produktegenskaper

Delnummer : CSD19536KTT
Produsent : Texas Instruments
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Serie : NexFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 100V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 200A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 153nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 12000pF @ 50V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 375W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : DDPAK/TO-263-3
Pakke / sak : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA