Vishay Siliconix - SIRA50DP-T1-RE3

KEY Part #: K6419466

SIRA50DP-T1-RE3 Priser (USD) [113513stk Lager]

  • 1 pcs$0.32584

Delnummer:
SIRA50DP-T1-RE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Singel, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - En, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - IGBT-er - singel, Tyristorer - TRIAC and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SIRA50DP-T1-RE3 electronic components. SIRA50DP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA50DP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA50DP-T1-RE3 Produktegenskaper

Delnummer : SIRA50DP-T1-RE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8
Serie : TrenchFET® Gen IV
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 62.5A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 194nC @ 10V
Vgs (maks) : +20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 8445pF @ 20V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8