Infineon Technologies - BSC014N04LSIATMA1

KEY Part #: K6409537

BSC014N04LSIATMA1 Priser (USD) [63472stk Lager]

  • 1 pcs$0.61602
  • 5,000 pcs$0.49887

Delnummer:
BSC014N04LSIATMA1
Produsent:
Infineon Technologies
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - IGBT-er - singel, Tyristorer - SCR-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Dioder - Bridge likerettere, Tyristorer - DIAC, SIDAC, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Tyristorer - SCR ...
Konkurransefordel:
We specialize in Infineon Technologies BSC014N04LSIATMA1 electronic components. BSC014N04LSIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC014N04LSIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC014N04LSIATMA1 Produktegenskaper

Delnummer : BSC014N04LSIATMA1
Produsent : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 31A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 1.45 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (maks) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 20V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : PG-TDSON-8 FL
Pakke / sak : 8-PowerTDFN