Vishay Siliconix - SI3464DV-T1-GE3

KEY Part #: K6395938

SI3464DV-T1-GE3 Priser (USD) [383787stk Lager]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

Delnummer:
SI3464DV-T1-GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Tyristorer - TRIAC, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Singel, Transistorer - FET, MOSFET - En, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT-er - singel and Dioder - Zener - Singel ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SI3464DV-T1-GE3 electronic components. SI3464DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3464DV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3464DV-T1-GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SI3464DV-T1-GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Serie : TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 20V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 5V
Vgs (maks) : ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1065pF @ 10V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : 6-TSOP
Pakke / sak : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6