Vishay Siliconix - SQJ940EP-T1_GE3

KEY Part #: K6524843

SQJ940EP-T1_GE3 Priser (USD) [148039stk Lager]

  • 1 pcs$0.24985
  • 3,000 pcs$0.21117

Delnummer:
SQJ940EP-T1_GE3
Produsent:
Vishay Siliconix
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - Bridge likerettere, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - JFET-er, Transistorer - IGBT-er - moduler, Transistorer - FET, MOSFET - Arrays, Dioder - likerettere - singel and Transistorer - FET, MOSFET - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ940EP-T1_GE3 electronic components. SQJ940EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ940EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ940EP-T1_GE3 Produktegenskaper

Delnummer : SQJ940EP-T1_GE3
Produsent : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon : Logic Level Gate
Drenering til kildespenning (Vdss) : 40V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, vgs : 16 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 896pF @ 20V
Kraft - Maks : 48W, 43W
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : PowerPAK® SO-8 Dual
Leverandørenhetspakke : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric