IXYS - IXTH62N65X2

KEY Part #: K6392619

IXTH62N65X2 Priser (USD) [11132stk Lager]

  • 1 pcs$4.07207
  • 10 pcs$3.66486
  • 100 pcs$3.01333
  • 500 pcs$2.52468
  • 1,000 pcs$2.19892

Delnummer:
IXTH62N65X2
Produsent:
IXYS
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 62A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - JFET-er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - RF, Dioder - Bridge likerettere, Dioder - Zener - Singel, Transistorer - IGBT-er - Arrays, Transistorer - FET, MOSFET - En and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurransefordel:
We specialize in IXYS IXTH62N65X2 electronic components. IXTH62N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH62N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH62N65X2 Produktegenskaper

Delnummer : IXTH62N65X2
Produsent : IXYS
Beskrivelse : MOSFET N-CH 650V 62A TO-247
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 650V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 62A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 52 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5940pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 780W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Through Hole
Leverandørenhetspakke : TO-247
Pakke / sak : TO-247-3