ON Semiconductor - FCB11N60TM

KEY Part #: K6397489

FCB11N60TM Priser (USD) [47625stk Lager]

  • 1 pcs$0.82511
  • 800 pcs$0.82101

Delnummer:
FCB11N60TM
Produsent:
ON Semiconductor
Detaljert beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioder - Zener - Singel, Tyristorer - SCR, Transistorer - IGBT-er - moduler, Dioder - Variabel kapasitet (Varicaps, Varactors), Dioder - Bridge likerettere and Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor ...
Konkurransefordel:
We specialize in ON Semiconductor FCB11N60TM electronic components. FCB11N60TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCB11N60TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCB11N60TM Produktegenskaper

Delnummer : FCB11N60TM
Produsent : ON Semiconductor
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Serie : SuperFET™
Delstatus : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Drenering til kildespenning (Vdss) : 600V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, vgs : 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (maks) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1490pF @ 25V
FET-funksjon : -
Effektdissipasjon (maks) : 125W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandørenhetspakke : D²PAK
Pakke / sak : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB