Diodes Incorporated - DMN3190LDW-13

KEY Part #: K6522500

DMN3190LDW-13 Priser (USD) [1192875stk Lager]

  • 1 pcs$0.03101
  • 10,000 pcs$0.02784

Delnummer:
DMN3190LDW-13
Produsent:
Diodes Incorporated
Detaljert beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
På lager
Holdbarhet:
Ett år
Brikke fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåte:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør av elektroniske komponenter som tilbyr produktkategorier inkludert: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, pre-partisk, Transistorer - IGBT-er - singel, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Transistorer - FET, MOSFET - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Enkelt, forhåndsfor, Dioder - likerettere - matriser, Dioder - RF and Transistorer - programmerbar enhet ...
Konkurransefordel:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3190LDW-13 electronic components. DMN3190LDW-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3190LDW-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3190LDW-13 Produktegenskaper

Delnummer : DMN3190LDW-13
Produsent : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Serie : -
Delstatus : Active
FET Type : 2 N-Channel (Dual)
FET-funksjon : Logic Level Gate
Drenering til kildespenning (Vdss) : 30V
Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C : 1A
Rds On (Max) @ Id, vgs : 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 87pF @ 20V
Kraft - Maks : 320mW
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / sak : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverandørenhetspakke : SOT-363